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【央视新闻客户端】

　　AI算力卷到白热化，芯片却快“热炸”了！

　　英伟达H100峰值功耗超700W ，下一代Rubin处理器直奔1800W，2029年甚至要冲到6000W
。算力飙升的背后
，是传统封装的“崩溃 ”——硅中介层散热跟不上
、容易开裂，CoWoS封装的“功耗墙”成了AI算力的致命瓶颈。

　　而破局的关键 ，藏在“先进封装+SiC
”的组合里 。台积电广发英雄帖推进SiC中介层
，英伟达计划2027年导入12英寸SiC衬底，产业巨头集体押注
。

　　A股市场早已闻风而动：先进封装指数年初至今涨幅超14% ，长电科技单日成交额破50亿
，晶盛机电、天岳先进等SiC标的异动，一场由“AI算力刚需+SiC技术突破+国产替代”驱动的盛宴 ，已经开席！

　　（来源：同花顺）

　　01

　　算力需求飙升
，先进封装成破局关键

　　AI大模型训练 、数据中心算力需求呈指数级飙升，直接把芯片推向“功耗极限 ”。2025年中国智能算力规模达1037.3 EFLOPS ，2026年还要再涨40%
，但传统封装早就扛不住了 。

　　芯片性能每提升1倍，功耗就要翻3倍 ，而硅中介层的热导率只有148 W/m·K，根本散不掉超高功率带来的热量
。更麻烦的是
，随着CoWoS中介层尺寸变大，硅材质容易分层开裂 ，良率大幅下降。

　　（来源：华西证券研究所）

　　这时候先进封装站了出来 。通过2.5D/3D堆叠、混合键合
、SiC中介层替代等技术
，不仅能解决散热难题，还能让芯片互连密度提升10倍以上 ，成为超越摩尔定律的核心抓手
。Yole预测
，2030年全球先进封装市场规模将突破790亿美元，其中2.5D/3D封装增速高达37% ，妥妥的高景气赛道。

　　02

　　从2.5D到SiC
，技术迭代不停

　　先进封装的核心升级逻辑，是“材料+工艺
”双突破 ，尤其是SiC的加入
，让行业迎来质变 。

　　先看工艺迭代：传统2.5D封装靠硅中介层连接芯片，但性能见顶；3D封装通过混合键合技术 ，实现铜-铜直接连接，互连间距从20μm缩小到<10μm
，信号延迟降低30%。台积电SoIC、英特尔Foveros等技术已经落地，2026年混合键合将进入规模化应用
。

　　再看材料革命：SiC成了中介层的“最优解” ，不过经济性尚有欠缺。它的热导率达490 W/m·K
，是硅的3倍多，莫氏硬度9.5 ，抗开裂能力远超硅和玻璃 。更关键的是
，SiC能实现高深宽比通孔设计，优化布线密度 ，让芯片传输速度再提20%
。

　　（SiC在热性能 、硬度等关键的指标上强于Si
，来源：华西证券研究所）

　　行业层面来看，2027年预计将是SiC中介层量产元年。按CoWoS 35%复合增速
、70%替换SiC测算 ，2030年需要超230万片12英寸SiC衬底
，等效6英寸920万片，远超当前全球产能 ，缺口巨大 。

　　03

　　设备+材料+OSAT，龙头抢跑

　　先进封装的爆发
，不是单点机会，而是全产业链的共振 ，设备、材料 、OSAT（封测）三大赛道齐发力
。

　　OSAT是直接受益端。长电科技XDFOI方案覆盖2.5D/3D封装
，通富微电大尺寸FCBGA进入量产，盛合晶微硅中介层技术已量产 ，深度绑定华为昇腾等客户 。全球封测格局中
，长电科技
、通富微电稳居全球前十，国产替代份额持续提升
。

　　材料赛道是核心瓶颈突破点。封装基板（深南电路、兴森科技） 、PSPI（鼎龙股份
、飞凯材料（维权））、CMP抛光液（安集科技）等关键材料国产化率快速提升 。尤其是SiC衬底 ，天岳先进全球市场份额16.7%排名第二
，晶盛机电12英寸中试线已通线，三安光电与意法半导体合资建厂 ，产能持续释放
。

　　（SiC国产厂商进展情况
，来源：华西证券研究所）

　　设备赛道是量产关键。混合键合机（拓荆科技 、芯源微）
、CMP设备（华海清科）、激光划片机（芯碁微装）等设备厂商突破海外垄断 。2024年中国半导体封装设备市场规模达282.7亿元，同比增长18.9% ，随着SiC中介层量产，设备需求将进一步爆发。

　　04

　　淘金指南：4个方向蹲住千亿红利

　　先进封装+SiC的增长逻辑清晰
，聚焦4个方向，既能抓确定性 ，又能享弹性
。

　　1.SiC材料及设备

　　押注量产前夜优先关注12英寸SiC衬底及设备企业。衬底端看天岳先进（全球第二
，12英寸已量产） 、三安光电（与意法合作，8英寸产能爬坡）；设备端盯晶盛机电（长晶炉+衬底加工双布局）、晶升股份（SiC长晶炉） ，分享2027量产潮红利 。

　　2．先进封装OSAT：国产替代核心

　　锁定技术突破+客户绑定的龙头
。长电科技（XDFOI方案落地
，全球第三）
、通富微电（AMD核心供应商，CoWoS类方案突破）、盛合晶微（硅中介层量产 ，华为供应链核心）
，受益于海外产能缺口和国产替代。

　　3．关键材料：攻克瓶颈环节

　　布局封装基板 、PSPI
、CMP材料等细分龙头 。深南电路（FCBGA基板量产）、鼎龙股份（PSPI+抛光垫双突破） 、安集科技（CMP抛光液+电镀液全覆盖），随着先进封装渗透率提升 ，材料需求持续放量
。

　　4．混合键合及3D封装：技术迭代先锋

　　关注前沿技术落地企业。拓荆科技（混合键合设备获重复订单）
、芯源微（临时键合/解键合设备放量）、华海清科（12英寸减薄机批量供货）
，把握从“0到1 ”的商业化机遇 。

　　05

　　结语

　　从AI算力催生的刚需，到SiC技术的突破 ，再到国产替代的窗口期，先进封装行业已经从“半导体后道工序
”升级为“算力核心载体”
，成为支撑AI 、数据中心
、智能驾驶的关键赛道
。

　　当前行业处于爆发前夜：2027年SiC中介层量产将打开新增长空间，国内企业在SiC衬底、封装设备 、OSAT等环节均已实现突破 ，产业链优势显著。

　　格隆汇研究院持续跟踪先进封装全产业链
，聚焦SiC量产进度
、海外订单突破、技术迭代三大核心指标，多维度挖掘优质标的 。